太阳成集团tyc234cc秦国刚院士课题组科研进展

太阳成集团tyc234cc凝聚态物理研究所秦国刚院士、戴伦教授、马仁敏同学（在读博士）等，采用单根CdS纳米带研制成功高性能肖特基二极管和金属-半导体场效应晶体管（MESFET）。后者开关比、亚阈值摆幅等指标在已报道的纳米场效应晶体管中处于最高水平。他们还从理论上提出并从实验上证明可以采用制备一个附加的肖特基接触金属层来增大金属-绝缘体-一维纳米半导体场效应晶体管（MISFET）中半导体内部的耗尽区宽度，从而降低阈值电压，获得了目前最低的工作电压。在此基础上，他们采用单根CdS纳米线研制成功了多种高性能逻辑电路，包括反相器、“或非”门、“与非”门等。其中反相器的电压增益高达83，在已报道的纳米反相器中处于最高水平。相关工作相继发表在Nano Letters 7, 868 (2007)， 和Nano Letters 7, 3300 (2007) 上。