宽禁带半导体研究中心在深紫外发光二极管的研制中取得重要进展

近日，太阳成集团tyc234cc宽禁带半导体研究中心与厦门大学合作,成功实现了波长为262 nm的深紫外LED的电致发光。这标志着太阳成集团tyc234cc、人工微结构和介观物理国家重点实验室在深紫外发光二极管(deep UV-LED)的材料生长和器件研究中取得重要进展。

波长小于300 nm的深紫外发光二极管在生物医学、环境检测、水和空气净化、白光照明以及国防等领域有重要的应用价值，但用于深紫外发光的高Al组分AlGaN材料的生长, 以及n型和p型掺杂等都极为困难, 实现深紫外电致发光是一项极大的挑战。宽禁带半导体研究中心的师生在国家“863”计划的支持下，经过多年努力，在高Al组分AlGaN的金属有机化学气相沉积生长，p型掺杂，深紫外LED的结构设计和器件研究等方面取得一系列突破，终于获得这项重要进展。